Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 100 A, 1.4 mΩ, 61 nC, 8ピン, パッケージ：TDSON
- RS品番:
- 171-1961
- メーカー型番:
- BSC014N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥2,615
(税抜)
￥2,877
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,970 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | ￥261.50 | ￥2,615 |
| 250 - 2390 | ￥234.70 | ￥2,347 |
| 2400 - 3190 | ￥207.00 | ￥2,070 |
| 3200 - 3990 | ￥179.00 | ￥1,790 |
| 4000 + | ￥151.10 | ￥1,511 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 171-1961
- メーカー型番:
- BSC014N04LSATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TDSON | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 61nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 96W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.15mm | |
| 長さ | 5.15mm | |
| 規格 / 承認 | J-STD20 and JESD22 | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TDSON | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 61nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 96W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.15mm | ||
長さ 5.15mm | ||
規格 / 承認 J-STD20 and JESD22 | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン・ソース間電圧 40V、最大連続ドレイン電流 100A ― BSC014N04LSATMA1
このMOSFETは、表面実装電源用途向けに設計された高電流対応のNチャネルスイッチングトランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、大きな連続ドレイン電流に対応し、産業用電子システムにおけるコンパクトな電力変換と高効率スイッチング作業向けに設計されています。
特長：
• 1.4mΩ の低Rds(on)により、導通損失を低減
• 連続ドレイン電流100Aで、大電流用途に対応
• 40Vのドレイン・ソース間定格により、中電圧電力変換段に対応
• 標準ゲート電荷 61nC により、高速スイッチング性能に対応
• 最大96Wの消費電力により、高い熱負荷に対応
• 最大ゲート・ソース電圧20Vにより、堅牢なゲート駆動に対応
• 連続ドレイン電流100Aで、大電流用途に対応
• 40Vのドレイン・ソース間定格により、中電圧電力変換段に対応
• 標準ゲート電荷 61nC により、高速スイッチング性能に対応
• 最大96Wの消費電力により、高い熱負荷に対応
• 最大ゲート・ソース電圧20Vにより、堅牢なゲート駆動に対応
用途
• DC-DCコンバータの一次側および二次側回路に最適
• 産業機器の大電流電源ラインに最適
• 同期整流型バックコンバータと使用して、効率的なスイッチングを実現
• モーター駆動用ハーフブリッジモジュールに使用可能
• コンパクトな表面実装型電力回路に最適
• 産業機器の大電流電源ラインに最適
• 同期整流型バックコンバータと使用して、効率的なスイッチングを実現
• モーター駆動用ハーフブリッジモジュールに使用可能
• コンパクトな表面実装型電力回路に最適
どのようなパッケージと実装方式を採用していますか？
基板実装に適した表面実装用8ピンTDSONパッケージで提供されます。
広い温度範囲に対応できますか？
定格動作温度は-55°C～150°Cで、過酷な熱環境での使用が可能です。
設計者は、ゲート駆動時にどのような制約に注意する必要がありますか？
このデバイスはの最大ゲート・ソース間電圧は20Vであるため、この上限値を超えないようにする必要があります。
どのような電気的極性とチャネル特性を備えていますか？
エンハンスメント型Nチャネルデバイスで、導通させるには正のゲート駆動電圧が必要です。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFETおよびダイオード 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 60 V パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 40 V 1.20 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 40 V 1.3 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 40 V 2.6 mΩ 8ピン, パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 25 V 5 mΩ パッケージ：TDSON
- Infineon MOSFET 25 V 2.4 mΩ パッケージ：TDSON