Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 40 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON
- RS品番:
- 258-0715
- メーカー型番:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥83.30 | ¥416,500 |
| 10000 - 45000 | ¥83.075 | ¥415,375 |
| 50000 - 70000 | ¥82.009 | ¥410,045 |
| 75000 - 95000 | ¥80.942 | ¥404,710 |
| 100000 + | ¥79.875 | ¥399,375 |
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- RS品番:
- 258-0715
- メーカー型番:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | BSZ | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.4mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 63W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.86V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ BSZ | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.4mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 63W | ||
順方向電圧 Vf 0.86V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V産業用パワーMOSFETは、前世代と比較して43 %のRDS(on)低減を実現し、高スイッチング周波数に最適です。このファミリのデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用に特別に設計されています。さらに、ソーラー、低電圧ドライブ、アダプタなどの他の産業用途でも使用できます。
最高システム効率
スイッチング損失及び伝導損失の削減
必要な並列が少なくなります。
電力密度の向上
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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