Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, -30 V, -40 A, 12 mΩ, 30 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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梱包形態
RS品番:
258-0719
メーカー型番:
BSZ120P03NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

シリーズ

BSZ

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12mΩ

チャンネルモード

P

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

30nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大許容損失Pd

52W

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

Infineon BSZシリーズMOSFET、30 Vドレイン-ソース電圧、40 A連続ドレイン電流 - BSZ120P03NS3GATMA1


このPチャンネルMOSFETは、コンパクトなアセンブリの高電流スイッチング用に設計された表面実装型トランジスタです。広い温度範囲で動作し、指定された材料および環境基準に適合しているため、制御された電力処理とコンパクトなパッケージングを必要とする電子用途に適しています。

特長および利点:


• 12 mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減し、効率を向上
• 52Wの消費電力により、高い熱スループットを実現
• 30nCゲート充電により、高速スイッチング性能をサポート
• ±25Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ設計が可能
• 表面TDSONパッケージにより、高密度な基板レイアウトを実現

用途


• 高電流極性スイッチング回路に最適
• パワーレール保護および負荷スイッチングに最適
• Pチャンネルデバイスを必要とするモータドライバステージで使用
• バッテリ管理および配電に使用可能
• コンパクトな表面実装電源モジュールに最適

信頼性の高い動作が可能な温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cの幅広い温度範囲で動作します。

ピン数は基板配線にどのように影響しますか?


8ピンにより、ドレイン、ソース、ゲートの異なる接続を実現し、安全な熱および電気的ルーティングを実現します。

材料仕様にはどのような規格が適用されますか?


基板材料要件に関するIEC 61249-2-21に準拠しています。

自動車認証に適していますか?


自動車グレードのコンポーネントとして分類されていません。

有害物質に関する環境指令に適合していますか?


有害物質含有量を制限するRoHS要件に適合

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