Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 100 A, 9.6 mΩ, 61 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

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RS品番:
165-6578
メーカー型番:
BSC060P03NS3EGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS P

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

順方向電圧 Vf

-1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

61nC

最大許容損失Pd

83W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

5.35mm

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

長さ

6.35mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

インフィニオン OptiMOS Pシリーズ +MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 100A - BSC060P03NS3EGATMA1


このMOSFETは、表面実装アセンブリにおける大電流・低電圧の用途向けに設計された電力スイッチングトランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、基板の低背設計向けのコンパクトなパッケージを維持しながら、大幅な連続電流容量を実現します。

特長:


• 100Aの連続ドレイン電流により、高電流のスイッチングを長時間維持可能
• 30Vのドレイン-ソース間定格により、低電圧電源段階をサポート
• 9.6mΩ Rds(on)により導通損失と発熱を低減
• 83Wの最大許容電力により、大幅な電力処理を実現
• 61nCの標準ゲート電荷により、スイッチングダイナミクスを制御可能
• 25Vゲート-ソース制限により、ゲートドライブのヘッドルームを確保し、堅牢性を発揮

用途


• 電源の同期降圧コンバータに適合
• 大電流の処理能力が求められるDCモータードライブに最適
• サーバーと通信機器のポイントオブロードレギュレータに使用
• エネルギー貯蔵におけるバッテリー管理システムに使用可能
• コンパクトなプリント基板上の高電流ロードスイッチに最適

動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか?


-55°C~150°Cの温度範囲で動作することが規定されており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。

基板アセンブリには、どのパッケージと取付方式を使用しますか?


このデバイスは表面実装配置および低背設計アセンブリ用に設計された8ピンTDSONパッケージで提供されます。

チャンネルタイプと動作モードは、一般的な電力トポロジに適していますか?


エンハンスメントモードでPチャンネルを採用し、制御された伝導特性を備えたPチャンネルデバイスが必要な設計に適しています。

このコンポーネントは、狭い基板レイアウトに対応するためにどのくらいコンパクトですか?


パッケージ高さは1.1mmで、フットプリントにより高電流性能を維持しながら、コンパクトな配置をサポートします。

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