Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 100 A, 4.6 mΩ, 140 nC, 8ピン, パッケージ:TDSON

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥3,357

(税抜)

¥3,693

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,610 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
10 - 240¥335.70¥3,357
250 - 2390¥309.40¥3,094
2400 - 3190¥283.10¥2,831
3200 - 3990¥256.40¥2,564
4000 +¥230.10¥2,301

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
906-4309
メーカー型番:
BSC030P03NS3GAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOS P

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

140nC

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

-25V, +25V

動作温度 Max

150°C

幅

5.35mm

規格 / 承認

No

長さ

6.1mm

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

インフィニオン OptiMOSシリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧30V、最大連続ドレイン電流100A - BSC030P03NS3GAUMA1


このMOSFETは、高電流対応および広温度範囲が求められる表面実装用途向けに設計された電力スイッチング・トランジスタです。過酷な環境での電源レールおよびスイッチング段の制御に向けたPチャネル・エンハンスメント型デバイスであり、広い温度範囲にわたって優れたスイッチング性能と連続電流容量のバランスを実現します。

特長:


• 100Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングを実現
• 125Wの最大許容電力損失により、ヘビーデューティの熱負荷に対応
• 4.6 mΩのオン抵抗(RDS(on))により、導通損失を低減
• 最大30VのVdsにより、中電圧電源レール制御が可能
• ゲート総電荷量140nCにより、ゲートドライバの駆動負荷とスイッチング速度のバランスを両立
• 25 Vのゲート耐圧により、十分なゲート駆動マージンを確保

用途


• 高電流電力分配モジュールに最適
• 電源の同期整流に最適
• バッテリ管理および電力変換システムに使用
• モータードライブのローサイドスイッチングに使用可能
• 幅広い温度範囲で高い熱負荷がかかる電子機器に使用

プリント基板にどのようなパッケージタイプを設定する必要がありますか?


8ピンTDSON表面実装パッケージで供給され、はんだ付け性と熱伝達を確保するための8ピンサーマルパッドと周囲のアースに適合するフットプリントが必要です。

周囲温度は動作にどのような影響を与えますか?


-55℃〜150℃の定格動作温度範囲を備え、極寒および高いジャンクション温度条件でも機能を維持します。ただし、動的電流制限は熱管理能力により決定します。

スイッチング性能にはどのようなゲートドライブに関する考慮事項が重要ですか?


標準総ゲート電荷量:140 nC(ゲートドライバ設計用)

ドライバは、最大 25Vのゲートソース間定格を超えない範囲で、必要なスイッチング遷移時間内に駆動できる十分な電流を供給する必要があります。

順方向電圧の特性は逆導通にどのような影響を与えますか?


本デバイスは、該当方向の通電時に -1.1V の順方向電圧を示し、フリーホイーリング(非同期整流)構成、または同期整流構成での導通損失に影響を与えます。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。