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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	166A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	iPB
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	2.4mΩ
	チャンネルモード	N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	99nC
	順方向電圧 Vf	0.92V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	214W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 166A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ iPB
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.4mΩ
	チャンネルモード N
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 99nC
	順方向電圧 Vf 0.92V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 214W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - IPB024N08N5ATMA1

Infineon OptiMOS 5 80 V産業用パワーMOSFETは、前世代と比較して43 %のRDS(on)低減を実現し、高スイッチング周波数に最適です。このファミリのデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用に特別に設計されています。さらに、ソーラー、低電圧ドライブ、アダプタなどの他の産業用途でも使用できます。

同期整流用に最適化

高いスイッチング周波数に最適

必要な並列が少なくなります。

電力密度の向上

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 166 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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