Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 166 A N, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB024N08N5ATMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3789
メーカー型番:
IPB024N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

166A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

N

最大許容損失Pd

214W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

99nC

順方向電圧 Vf

0.92V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 80 V産業用パワーMOSFETは、前世代と比較して43 %のRDS(on)低減を実現し、高スイッチング周波数に最適です。このファミリのデバイスは、通信及びサーバー電源の同期整流用に特別に設計されています。さらに、ソーラー、低電圧ドライブ、アダプタなどの他の産業用途でも使用できます。

同期整流用に最適化

高いスイッチング周波数に最適

必要な並列が少なくなります。

電力密度の向上

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