Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 166 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
258-3790
メーカー型番:
IPB032N10N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

166A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

iPB

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.2mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

187W

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

76nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS 5 100 VパワーMOSFETは、オーリング、ホットスワップ、バッテリ保護などの通信ブロックでの同期整流、及びサーバー電源用途向けに特別に設計されています。このデバイスは、同様のデバイスに比べて22 %の低いRDS(on)を備えています。この業界をリードするFOMに最も大きな貢献の1つは、最高レベルの電力密度と効率を実現する低オンステート抵抗です。

スイッチング損失及び伝導損失の削減

必要な並列が少なくなります。

電力密度の向上

低電圧オーバーシュート

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