- RS品番:
- 258-3859
- メーカー型番:
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価: 購入単位は2500 個
¥61.578
(税抜)
¥67.736
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
2500 - 10000 | ¥61.578 | ¥153,945.00 |
12500 - 22500 | ¥59.74 | ¥149,350.00 |
25000 - 60000 | ¥56.554 | ¥141,385.00 |
62500 - 122500 | ¥54.961 | ¥137,402.50 |
125000 + | ¥53.368 | ¥133,420.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 258-3859
- メーカー型番:
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon 600 V CoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、消費者用途向けのCoolMOS 7を補完します。TO 252 DPAKパッケージのCoolMOS PFD7スーパージャンクションMOSFETは、2,000 mOhmのRDS(on)を備え、スイッチング損失が低くなっています。実装された高速ボディダイオードにより、堅牢なデバイスを確実に実現し、顧客の素材の費用を削減します。さらに、当社の業界をリードするSMDパッケージは、基板スペースを節約し、製造を簡素化します。
幅広いRDS(on)値範囲
優れた切り替え耐久性
低EMI
幅広いパッケージポートフォリオ
BOMコスト削減と簡単な製造
堅牢性と信頼性
設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能
優れた切り替え耐久性
低EMI
幅広いパッケージポートフォリオ
BOMコスト削減と簡単な製造
堅牢性と信頼性
設計の微調整に適した部品を簡単に選択可能
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
---|---|
最大連続ドレイン電流 | 14 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
パッケージタイプ | PG-TO 252-3 |
実装タイプ | 表面実装 |
関連ページ
- Infineon MOSFET650 V 14 A 表面実装 パッケージPG-TO 252-3
- Infineon MOSFET650 V 4.5 A 表面実装 パッケージPG-TO 252-3
- Infineon MOSFET650 V 31 A 表面実装 パッケージPG - TO 252-3
- Infineon MOSFET650 V 31 A 表面実装 パッケージPG-TO 252-3
- Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 12 A 表面実装 パッケージTO-252 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 9 A 表面実装 パッケージTO-252 3 ピン
- Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 7.2 A 表面実装 パッケージTO-252 3 ピン
- Infineon MOSFET650 V 24 A 表面実装 パッケージPG-TO252-3