Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, -80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO-252, IPD80P03P4L07ATMA2

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梱包形態
RS品番:
258-3864
メーカー型番:
IPD80P03P4L07ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

パッケージ型式

PG-TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大許容損失Pd

88W

最大ゲートソース電圧Vgs

-0.31 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

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