Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -30 V, -80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO-252, IPD80P03P4L07ATMA2
- RS品番:
- 258-3864
- メーカー型番:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3864
- メーカー型番:
- IPD80P03P4L07ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | PG-TO-252 | |
| シリーズ | IPD | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 88W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id -80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 PG-TO-252 | ||
シリーズ IPD | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 88W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 DIN IEC 68-1, RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。
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