Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, IPD046N08N5ATMA1

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RS品番:
273-2783
メーカー型番:
IPD046N08N5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-TO252-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、Nチャンネル80V MOSFETです。高周波スイッチングや同期整流に最適です。このMOSFETの動作温度は175 °Cです。このMOSFETは、JEDEC1に準拠してターゲット用途に適合し、IEC61249 2 21に準拠してハロゲンフリーです。

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れたゲート充電

非常に低いオン抵抗

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