Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプPチャンネル, 30 V, 90 A, 4.1 mΩ, 125 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥2,460

(税抜)

¥2,706

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,710 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥492.00¥2,460
125 - 1195¥430.80¥2,154
1200 - 1595¥369.00¥1,845
1600 - 1995¥308.20¥1,541
2000 +¥247.20¥1,236

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
220-7416
メーカー型番:
IPD90P03P4L04ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

125nC

最大許容損失Pd

137W

順方向電圧 Vf

-1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

5V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.41mm

長さ

6.73mm

規格 / 承認

No

幅

6.22mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET及びダイオード、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流90 A - IPD90P03P4L04ATMA2


このMOSFETおよびダイオードは、自動車および電力変換環境での高電流スイッチング用に設計された表面実装電源デバイスです。ボディダイオードを内蔵し、Pチャンネルエンハンスメントモードトランジスタとして動作するため、低オン抵抗と広い温度範囲での堅牢な耐熱性を必要とするシステムに適しています。

特長:


• 30V ドレイン定格により、低電圧パワーステージ設計が可能
• 4.1mΩ Rds(on)により、大電流時の導通損失を低減
• 90Aの連続ドレイン容量により、高電流用途をサポート
• 最大許容電力 137W により、継続的な熱負荷に対応
• 125 nCの標準ゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現

用途


• 自動車用DC-DCコンバータパワーステージに最適
• 高電流同期整流回路に最適
• モータドライブ低電圧電源レールと併用
• バッテリ管理および配電に使用可能

どのようなパッケージと取付方式を使用していますか?


TO-252パッケージで提供され、表面実装向けです。

極端な温度条件でどのような性能を発揮しますか?


定格動作温度範囲は-55°C~175°Cで、幅広い温度範囲で使用できます。

ゲート電圧制限とスイッチングの意味は何ですか?


最大ゲート-ソース電圧は5 Vで、許容されるゲート駆動振幅を定義し、スイッチングマージンに影響を与えます。

内蔵ダイオードの順方向電圧特性は何ですか?


本体ダイオードは、指定された条件下で測定された順方向電圧は-1.3Vです。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。