Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -85 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-252

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥224,977.50

(税抜)

¥247,475.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 2,500 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥89.991¥224,978
5000 - 22500¥89.089¥222,723
25000 - 35000¥87.298¥218,245
37500 - 47500¥85.565¥213,913
50000 +¥83.847¥209,618

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
258-3865
メーカー型番:
IPD85P04P407ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-85A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

シリーズ

IPD

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

88W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

69nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS, DIN IEC 68-1

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

ハイサイドドライブには充電ポンプは不要

シンプルなインターフェイスドライブ回路

最高電流容量

関連ページ