型番

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -85 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-252

RS品番:: 258-3865
メーカー型番:: IPD85P04P407ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -85 A エンハンスメント型, 表面パッケージTO-252

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個	単価	購入単位毎合計*
2500 - 2500	￥94.05	￥235,125
5000 - 22500	￥93.107	￥232,768
25000 - 35000	￥91.235	￥228,088
37500 - 47500	￥89.424	￥223,560
50000 +	￥87.628	￥219,070

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RS品番:: 258-3865
メーカー型番:: IPD85P04P407ATMA2
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	-85A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	-40V
	パッケージ型式	TO-252
	シリーズ	IPD
	取付タイプ	表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	7.3mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	69nC
	最大許容損失Pd	88W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	-1V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS, DIN IEC 68-1
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id -85A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds -40V
	パッケージ型式 TO-252
	シリーズ IPD
	取付タイプ表面
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.3mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 69nC
	最大許容損失Pd 88W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf -1V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS, DIN IEC 68-1
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPD85P04P407ATMA2

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最小で、最高の熱効率を実現します。優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージです。

ハイサイドドライブには充電ポンプは不要

シンプルなインターフェイスドライブ回路

最高電流容量

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