Infineon MOSFET, タイプPチャンネル -40 V, -90 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
258-3870
メーカー型番:
IPD90P04P4L04ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

-90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

5 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

135nC

順方向電圧 Vf

-1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

DIN IEC 68-1, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2パワートランジスタは、スイッチング及び伝導電力損失が最も低く、最高の熱効率と優れた品質と信頼性を備えた堅牢なパッケージを実現します。

Pチャンネル - ロジックレベル - 強化モード

AEC認定

シンプルなインターフェイスドライブ回路

40 Vで世界最低のRDSon

最高電流容量

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