Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 90 A, 3.8 mΩ, 46 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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梱包形態
RS品番:
229-1837
メーカー型番:
IPD90N04S4L04ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

90A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

71W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

2.3mm

長さ

6.5mm

幅

6.22mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon IPDシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流90A - IPD90N04S4L04ATMA1


このMOSFETは、高電流DC用途および表面実装アセンブリ向けに設計された半導体スイッチで、幅広い温度動作と過酷な環境での使用に対応します。

特長:


• 最大ドレイン電流90Aにより、高負荷スイッチング能力を実現
• 3.8 mΩの低Rds(on)により、動作中の導通損失を低減
• 最大消費電力71Wで持続熱負荷をサポート
• 46 nCのゲート電荷により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 40 Vのドレインソース定格電圧により、一般的な電圧トランジェントから保護
• 1.3Vの順方向ダイオード電圧により、逆伝導時の低下を制限

用途


• 車両の電気モーター駆動ステージに最適
• 高電流DC-DCコンバータ出力に最適
• 自動車用電子機器の配電モジュールと併用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• バッテリー管理および充電回路に最適

このコンポーネントは、過酷な使用環境でどのような温度範囲に耐えられますか?


-55°C~175°Cで確実に動作します。

プリント基板アセンブリおよび基板レベル取り付け用にどのようにパッケージされていますか?


直接はんだ付け用のTO-252表面実装パッケージで提供されます。

損傷を防止するために、どのようなゲート電圧の極端を避ける必要がありますか?


ゲート-ソース間電圧は、ゲートの完全性を維持するために±20 Vを超えてはなりません。

基板との接続端子は何個ありますか?


基板上のドレイン、ゲート、ソース接続用の3ピンを備えています。

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