Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 61 A N, 表面 パッケージHDSOP, IPDD60R045CFD7XTMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥1,091.00

(税抜)

￥1,200.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,688 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 34￥1,091
35 - 339￥969
340 - 679￥839
680 - 1359￥717
1360 +￥585

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3873
メーカー型番:
IPDD60R045CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

61A

シリーズ

IPD

パッケージ型式

HDSOP

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

210mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineonの高電圧スーパージャンクションMOSFET技術は、高速ボディダイオードを内蔵し、CoolMOS 7シリーズを補完します。CoolMOS CFD7には、ゲート充電が軽減され、ターンオフ動作が向上し、競合製品と比べて最大69 %低い逆回復充電が実現されています。また、市場で最も短い逆回復時間を実現しています。

超高速ボディダイオード

クラス最高の逆回復充電

リバースダイオードdv/dt及びdif/dtの強度を向上

クラス最高のハードコンミューティング耐久性

共振トポロジに対する最高の信頼性

優れた使いやすさ / 性能のトレードオフによる最高効率

高い電力密度ソリューションを実現

関連ページ