Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 20 A N, 表面, 10-Pin パッケージHDSOP, IPDD60R125G7XTMA1

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梱包形態
RS品番:
258-3875
メーカー型番:
IPDD60R125G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

HDSOP

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

125mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.8V

最大許容損失Pd

120W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

27nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon Double DPAKは、PC電源、太陽光発電、サーバー、通信などの高出力SMPS用途向けの最初のトップサイド冷却表面実装デバイスパッケージです。既存の高電圧技術600 V CoolMOS G7スーパージャンクションMOSFETの利点と革新的なトップサイド冷却コンセプトを組み合わせて、PFCなどの高電流ハードスイッチングトポロジのシステムソリューションとLLCトポロジのハイエンド効率ソリューションを提供します。

革新的なトップサイド冷却コンセプト

内蔵4ピンケルビンソース構成及び低寄生ソースインダクタンス

高い電力密度ソリューションを実現

最高品質基準を超える

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