型番

Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 20 A 55 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージTDSON

RS品番:: 258-3876
メーカー型番:: IPG20N06S2L35AATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 20 A 55 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージTDSON

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個	単価	購入単位毎合計*
5000 - 5000	￥78.111	￥390,555
10000 - 45000	￥77.751	￥388,755
50000 - 70000	￥76.589	￥382,945
75000 - 95000	￥75.435	￥377,175
100000 +	￥74.281	￥371,405

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RS品番:: 258-3876
メーカー型番:: IPG20N06S2L35AATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	55V
	パッケージ型式	TDSON
	シリーズ	OptiMOS
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	35mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	65W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	18nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	トランジスタ構成	デュアル
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 20A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V
	パッケージ型式 TDSON
	シリーズ OptiMOS
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 35mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 65W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	トランジスタ構成デュアル
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon OptiMOSパワートランジスタは、デュアルスーパーS08で、複数のDPAKを置き換えることができ、基板面積を大幅に節約し、システムレベルのコストを削減します。ワイヤ結合用の大型のソースリードフレーム接続と、同じダイサイズのDPAKと同じ熱性能と電気性能を発揮します。

デュアルNチャンネルロジックレベル - 強化モード

AEC Q101認定

MSL1: 最大260 °Cピークリフロー

動作温度: 175 °C

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