Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 205 A, 表面 パッケージTSON, IQE013N04LM6ATMA1

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥624.00

(税抜)

¥686.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,854 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 98¥312.00¥624
100 - 998¥286.50¥573
1000 - 1998¥262.50¥525
2000 - 3998¥238.00¥476
4000 +¥212.00¥424

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3921
メーカー型番:
IQE013N04LM6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

205A

シリーズ

IQE

パッケージ型式

TSON

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

35mΩ

順方向電圧 Vf

1V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSパワーMOSFETは、クラス最高のパワーMOSFETで、電力密度とフォームファクタの現状に挑戦することで、エンドユーザーエクスペリエンスを最適化します。電動工具設計の1つの目標は、基板エリア要件の内部制限を最小限に抑え、より人間工学に基づいた設計を実現することです。ハンドルからヘッドにインバータを移動することで、電動工具のモータハウジングの容量を最小限に抑え、同時に工具のトルクをかなり高いレベルに保つことで、迅速かつ簡単に操作できます。

RthJCで優れた熱性能

レイアウトの可能性を最適化

標準及びセンターゲートフットプリント

高電流容量

基板面積の効率的な使用

最高の電力密度と性能

センターゲートとのMOSFET並列化に最適化されたフットプリント

関連ページ