Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 205 A, 表面 パッケージTTFN
- RS品番:
- 258-3922
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ¥132.255 | ¥661,275 |
| 10000 - 45000 | ¥130.923 | ¥654,615 |
| 50000 - 70000 | ¥129.577 | ¥647,885 |
| 75000 - 95000 | ¥128.245 | ¥641,225 |
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- RS品番:
- 258-3922
- メーカー型番:
- IQE013N04LM6CGATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 205A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IQE | |
| パッケージ型式 | TTFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 205A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IQE | ||
パッケージ型式 TTFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon OptiMOSパワーMOSFET 40 Vは、3.3 x 3.3 PQFNソースダウンセンターゲートパッケージに収められています。このクラス最高のパワーMOSFETは、エンドアプリケーションでの電力密度とフォームファクタの現状に挑戦します。電動工具設計の1つの目標は、基板エリア要件の内部制限を最小限に抑え、人間工学に基づいた設計を実現し、エンドユーザー体験を最適化することです。インバータをハンドルからヘッドに同時に移動することで、電動工具モータハウジングの容量を最小限に抑え、工具のトルクを合理的に高いレベルに保つことで、迅速かつ簡単に操作できます。
高電流容量
PBCエリアの効率的な使用
最高の電力密度と性能
センターゲートでのMOSFET並列化に最適化されたフットプリント
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