Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 150 V, 186 A, 4.50 mΩ, パッケージ：TO-247
- RS品番:
- 258-3957
- メーカー型番:
- IRF150P221AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3957
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- IRF150P221AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 186A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 186A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、150Vドレイン-ソース電圧、186A連続ドレイン電流 - IRF150P221AKMA1
このMOSFETは、パワーエレクトロニクス用途向けに設計された高電流Nチャンネルスイッチングトランジスタです。中電圧回路に適したドレインソース電圧定格を備えたエンハンスメントモードデバイスとして動作します。このコンポーネントは、幅広い熱極端に耐えるため、熱耐性と効率的な伝導が求められる過酷な産業環境で使用できます。
特長および利点：
• 4.50mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• 186Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 中電圧電力段をサポートする150V Vds
• -55°C～+175°C定格により、幅広い温度範囲で動作可能
• 1.2Vの順方向電圧により、迅速な回復性能を実現
• 186Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 中電圧電力段をサポートする150V Vds
• -55°C～+175°C定格により、幅広い温度範囲で動作可能
• 1.2Vの順方向電圧により、迅速な回復性能を実現
用途
• 高電流DC-DCコンバータおよび電源に最適
• モーター駆動インバーター出力段に最適
• 迅速な回復を必要とするパワー整流器アセンブリと併用
• 過酷な温度下での産業用スイッチングに使用可能
• 表面実装型パワーボード実装に最適
• モーター駆動インバーター出力段に最適
• 迅速な回復を必要とするパワー整流器アセンブリと併用
• 過酷な温度下での産業用スイッチングに使用可能
• 表面実装型パワーボード実装に最適
基板実装にはどのようなパッケージ形式を使用しますか?
表面実装用に設計されたTO-247パッケージで提供されます。
このコンポーネントは、現代の危険物質規制に準拠していますか?
特定の危険物質の制限を示すRoHS認証を取得しています。
設計者は、ゲート制御においてどのようなチャンネル伝導方式を期待する必要がありますか?
このデバイスは、導通にポジティブゲートドライブを必要とするNチャンネルトランジスタとしてエンハンスメントモードで動作します。
連続動作における指定された最高温度はどのくらいですか?
高温用途向けに指定された上限動作温度範囲は+175°Cです。
回復イベントに関連する標準的な順方向電圧は何ですか?
伝導および回復の順方向電圧は1.2Vで指定されています。
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