Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 182 A, 6.6 mΩ, 135 nC, 3ピン, パッケージ：TO-247AC
- RS品番:
- 258-3959
- メーカー型番:
- IRF200P222
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 258-3959
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- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 200 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 182 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 6.6 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 135 nC | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| 自動車規格 | なし | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.2 V | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 20 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 556 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面, スルーホール | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 200 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 182 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 6.6 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 135 nC | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
自動車規格 なし | ||
順方向電圧 (Vf) 1.2 V | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
最大許容損失(Pd) 556 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面, スルーホール | ||
シリーズ HEXFET | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.
Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
Lead-free, RoHS compliant
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