Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 68 A, 表面 パッケージWDSON, IRF6646TRPBF
- RS品番:
- 258-3963
- メーカー型番:
- IRF6646TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋2個入り) 小計：*
￥751.00
(税抜)
￥826.10
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 4,688 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 98 | ￥375.50 | ￥751 |
| 100 - 958 | ￥328.50 | ￥657 |
| 960 - 1918 | ￥282.00 | ￥564 |
| 1920 - 3838 | ￥235.00 | ￥470 |
| 3840 + | ￥187.50 | ￥375 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 258-3963
- メーカー型番:
- IRF6646TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 68A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | WDSON | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.5mΩ | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 68A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 WDSON | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.5mΩ | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETシリコン技術は、高度なDirectFETTMパッケージを備えているため、SO-8のフットプリントとわずか0.7 mmのプロファイルのパッケージで最も低いオンステート抵抗を実現します。DirectFETパッケージは、電源用途、基板組み立て機器、蒸気相、赤外線、又は対流はんだ付け技術で使用される既存のレイアウトジオメトリと互換性があります。製造方法及びプロセスについては、アプリケーションノートAN-1035を参照してください。
アプリケーション特有のMOSFET
高性能絶縁コンバータに最適
一次スイッチソケット
同期整流用に最適化
低導電損失
高いCdv/dt耐性
低プロファイル(<0.7 mm)
両面冷却に対応
既存の表面実装技術に対応