Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 180 A, 表面 パッケージWDSON
- RS品番:
- 258-3966
- メーカー型番:
- IRF6727MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4800 - 4800 | ￥132.215 | ￥634,632 |
| 9600 - 43200 | ￥131.753 | ￥632,414 |
| 48000 - 67200 | ￥129.957 | ￥623,794 |
| 72000 - 91200 | ￥128.162 | ￥615,178 |
| 96000 + | ￥126.366 | ￥606,557 |
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- RS品番:
- 258-3966
- メーカー型番:
- IRF6727MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | WDSON | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.4mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.77V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 WDSON | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.4mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
順方向電圧 Vf 0.77V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
高定格電流
両面冷却機能
0.7 mmの低パッケージ高
コンパクトなフォームファクタ
高効率
環境に優しい