Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 180 A, 2.4 mΩ, 49 nC, パッケージ：WDSON
- RS品番:
- 258-3966
- メーカー型番:
- IRF6727MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
申し訳ありませんが、この商品の入荷は未定です。
- RS品番:
- 258-3966
- メーカー型番:
- IRF6727MTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | WDSON | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.4mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 順方向電圧 Vf | 770mV | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 WDSON | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.4mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
順方向電圧 Vf 770mV | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
高定格電流
両面冷却機能
0.7 mmの低パッケージ高
コンパクトなフォームファクタ
高効率
環境に優しい
関連ページ
- Infineon MOSFET 30 V 2.4 mΩ パッケージ：WDSON
- Infineon MOSFET 220 A 46 nC, パッケージ：WDSON
- Infineon MOSFET 80 V 9.5 mΩ パッケージ：WDSON
- Infineon MOSFET -30 V 4.8 mΩ パッケージ：DirectFET
- Infineon MOSFET 40 V 1.2 mΩ パッケージ：DirectFET
- Infineon MOSFET 150 V 56 mΩ 2ピン, パッケージ：DirectFET
- Infineon MOSFET 200 V 100 mΩ 7ピン, パッケージ：DirectFET
- Infineon MOSFET 60 V 2.8 mΩ 7ピン, パッケージ：WDSON