Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 180 A, 表面 パッケージWDSON, IRF6727MTRPBF

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梱包形態
RS品番:
258-3968
メーカー型番:
IRF6727MTRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

WDSON

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

順方向電圧 Vf

0.77V

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

89W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。

高定格電流

両面冷却機能

0.7 mmの低パッケージ高

コンパクトなフォームファクタ

高効率

環境に優しい

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