Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 100 V, 11 A, 72.50 mΩ, 12 nC, 5ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 258-3977
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3977
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 72.50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 72.50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流11A - IRFI4212H-117PXKMA1
このNチャンネルMOSFETは、産業用電子システムのスイッチングおよび増幅用途向けの表面実装パワートランジスタです。広い温度範囲で動作し、RoHS環境制限に適合しているため、鉛フリーコンポーネントと幅広い耐熱性を必要とする設備に適しています。
特長および利点：
• 低オン抵抗により、導通損失を低減
• 高電圧定格により、高い電源レールをサポート
• 適度なゲート充電により、スイッチングトランジションの迅速化を実現
• 5端子パッケージにより、取り付けと接続を簡素化
• 幅広い温度範囲に対応し、極端な環境下でも動作を維持
• 高電圧定格により、高い電源レールをサポート
• 適度なゲート充電により、スイッチングトランジションの迅速化を実現
• 5端子パッケージにより、取り付けと接続を簡素化
• 幅広い温度範囲に対応し、極端な環境下でも動作を維持
用途
• 産業機器の電力変換モジュールに最適
• 11Aの電流を必要とするモーター駆動スイッチステージに最適
• 最大100Vの高電圧スイッチ構成で使用
• 表面実装TO‐220パッケージが必要なアセンブリに最適
• -55°C～150°Cの熱応力環境で使用
• 11Aの電流を必要とするモーター駆動スイッチステージに最適
• 最大100Vの高電圧スイッチ構成で使用
• 表面実装TO‐220パッケージが必要なアセンブリに最適
• -55°C～150°Cの熱応力環境で使用
チャンネルの極性は何ですか?
電子伝導にNチャンネルエンハンスメントモードを採用しています。
ゲートドライブの需要はスイッチングにどのように影響しますか?
標準的なゲート電荷は、定格ゲート電圧で12 nCで、ドライバサイズとスイッチング速度に影響を与えます。
このデバイスは、ドレインとソース間でどのような電気的ストレスに耐えることができますか?
最大指定条件下でドレインとソース間の定格電圧は100 Vです。
どのようなパッケージと取り付け方法がありますか?
表面実装用に設計されたTO‐220パッケージで提供されます。
導通効率を定義する制限特性とは?
最大ドレイン・ソース・オン抵抗は72.50mΩで、高電流時の伝導損失に影響を与えます。
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