Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 199 A, 表面 パッケージHSOF, IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1個小計：*

￥826.00

(税抜)

￥908.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,742 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1 - 39￥826
40 - 359￥734
360 - 719￥640
720 - 1439￥539
1440 +￥445

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
259-2643
メーカー型番:
IPT012N08NF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

199A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

HSOF

取付タイプ

表面

順方向電圧 Vf

1.2V

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon StrongIRFET 2パワーMOSFETは、SMPS、モータ駆動、バッテリ駆動、バッテリ管理、UPS、軽電気自動車などの幅広い用途に最適化されています。この新しいテクノロジーは、以前のStrongIRFETデバイスに比べて最大40 %のRDS(on)の改善と最大60 %のQgの低減を実現し、高い電力効率により全体的なシステムパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、より高い電流伝送能力を実現し、複数のデバイスを並列化する必要がなくなります。これにより、BOMコストと基板の節約が低減されます。

ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能

優れた価格 / 性能比

高 / 低スイッチング周波数に最適

業界標準のフットプリントスルーホールパッケージ

高定格電流

関連ページ