Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 300 A, 1 mΩ, 216 nC, 8ピン, パッケージ：HSOF
- RS品番:
- 178-7451
- メーカー型番:
- IPT007N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 178-7451
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- IPT007N06NATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 300A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS 5 | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 216nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 幅 | 10.1mm | |
| 長さ | 10.58mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 300A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS 5 | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 216nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 2.4mm | ||
幅 10.1mm | ||
長さ 10.58mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 対象外
インフィニオン OptiMOS 5シリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧60V、最大連続ドレイン電流300A - IPT007N06NATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムにおける電力スイッチング向けに設計された、高電流対応のNチャネル・エンハンスメント型デバイスです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、コンパクトな基板レイアウトと効率的な熱管理を可能にする表面実装型HSOFパッケージで提供されます。
特長：
• 60V ドレイン定格により、中電圧電源設計を実現
• 300Aの連続電流処理能力により、高負荷スイッチングに対応
• 1mΩ のRds(on)により、大電流経路の導通損失を低減
• 375Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 216 nCのゲート総電荷量により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• ±20Vのゲート許容電圧により、ゲート駆動時の過渡現象に対する高い耐性を実現
• 300Aの連続電流処理能力により、高負荷スイッチングに対応
• 1mΩ のRds(on)により、大電流経路の導通損失を低減
• 375Wの消費電力により、持続的な高出力動作を実現
• 216 nCのゲート総電荷量により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• ±20Vのゲート許容電圧により、ゲート駆動時の過渡現象に対する高い耐性を実現
用途
• サーバーおよびデータセンターの電力変換段に最適
• モータードライブのインバータ出力段に最適
• PSUの高電流同期整流に使用
• 通信機器のDC-DCコンバーターに使用可能
• 産業用電力管理およびドライブ用途に最適
• モータードライブのインバータ出力段に最適
• PSUの高電流同期整流に使用
• 通信機器のDC-DCコンバーターに使用可能
• 産業用電力管理およびドライブ用途に最適
連続動作時に設計者が考慮すべき温度上限はどの程度ですか？
このデバイスの最大電力損失は375W
設計者は、システムの電力損失に応じてジャンクション温度を許容範囲内に維持できるよう、十分なプリント基板銅箔、サーマルビア、またはヒートシンクを確保する必要があります。
ゲート総電荷量は、ゲート駆動回路の選択にどのような影響を与えますか？
216nCのゲート総電荷量により、ゲートドライバには、スイッチング損失とEMIを抑えつつ必要な遷移時間を実現するため、十分なピーク電流を供給し、適切なスイッチング速度を確保する能力が求められます。
このデバイスの実装方法とピン数の詳細は何ですか？
8ピンのHSOF表面実装パッケージを採用し、高電流経路での低インダクタンス接続を実現します。
システム設計では、どの程度の動作温度範囲を想定できますか？
このデバイスは、-55～175°Cでの動作が規定されており、適切な熱設計により、熱的に厳しい環境にも対応できます。
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