Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 313 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8

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RS品番:
273-5352
メーカー型番:
IPT012N06NATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

313A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

IPT

パッケージ型式

PG-HSOF-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

214W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

106nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC1, RoHS

自動車規格

なし

Infineon Power MOSFETは、フォークリフト、軽電気自動車、POL、通信などの高電流用途向けに最適化されています。このパッケージは、最高の効率、優れたEMI動作、最高の熱動作、スペースの削減が必要な高出力用途に最適なソリューションです。ターゲット用途向けにJEDEC1に準拠した資格を取得しています。

ハロゲンフリー

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れた耐熱性

100 %バランステスト済み

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