STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージテープ及びリール, SCT040HU65G3AG
- RS品番:
- 261-5040
- メーカー型番:
- SCT040HU65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 261-5040
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- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | テープ及びリール | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 39.5nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 14 mm | |
| 長さ | 18.58mm | |
| 高さ | 3.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 テープ及びリール | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 39.5nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 14 mm | ||
長さ 18.58mm | ||
高さ 3.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- JP
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な3rd ジェネレーションSiC MOSFETテクノロジーです。このデバイスは、非常に低いRDS(on)を特長としています。 低静電容量と非常に高いスイッチング動作と組み合わせて、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の低減においてアプリケーションの性能を向上させます。
AEC-Q101認定
温度範囲全体で非常に低いRDS(on)
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢な本質的なボディダイオード
効率を向上させるソース検出ピン
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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