Microchip MOSFET, タイプNチャンネル 300 V, 250 mA MOSFET, スルーホール, 3-Pin パッケージSOT-23

ボリュームディスカウント対象商品

150個小計 (リールカット 前後にリーダーとトレイラー付きリリール(但し、在庫が分かれている場合はリリール対応不可))*

¥8,700.00

(税抜)

¥9,570.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,975 2026年1月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
150 - 1350¥58.00
1375 - 1725¥57.48
1750 - 2225¥56.80
2250 +¥56.28

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
264-8917P
メーカー型番:
TN2130K1-G
メーカー/ブランド名:
Microchip
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Microchip

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

250mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

300V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

チャンネルモード

MOSFET

最大許容損失Pd

0.36W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

マイクロチップ社のNチャネル低しきい値エンハンスメントモード(通常オフ)MOSFETは、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、この製品はバイポーラトランジスタの対応電力容量、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を兼ね備えています。MOS構造の特徴により、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の恐れがありません。縦型DMOS FETは、低しきい値電圧、高破壊電圧、高入力インピーダンス、低入力静電容量、高速スイッチングが求められる幅広いスイッチングと増幅用途に最適です。

二次降伏なし

低消費電力

並列化が容易

低CISSと高速スイッチング

優れた熱安定性

ソース・ドレイン間の内蔵ダイオード

高入力インピーダンスと高ゲイン