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Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 27.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7456DDP-T1-GE3

RS品番:: 787-9244
メーカー型番:: SI7456DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 27.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7456DDP-T1-GE3

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RS品番:: 787-9244
メーカー型番:: SI7456DDP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	27.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	PowerPAK SO-8
	シリーズ	Si7456DDP
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.031Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	35.7W
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	9.7nC
	動作温度 Max	150°C
	長さ	6.25mm
	幅	5.26 mm
	規格 / 承認	Lead (Pb)-Free
	高さ	1.12mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 27.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 PowerPAK SO-8
	シリーズ Si7456DDP
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.031Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 35.7W
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.1V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.7nC
	動作温度 Max 150°C
	長さ 6.25mm
	幅 5.26 mm
	規格 / 承認 Lead (Pb)-Free
	高さ 1.12mm
	自動車規格なし

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 27.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7456DDP-T1-GE3

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NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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