Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 34 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247AC
- RS品番:
- 268-8296
- メーカー型番:
- SIHG085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本25個入り) 小計:*
¥17,771.00
(税抜)
¥19,548.00
(税込)
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | ¥710.84 | ¥17,771 |
| 125 - 225 | ¥702.96 | ¥17,574 |
| 250 - 600 | ¥688.88 | ¥17,222 |
| 625 - 1225 | ¥675.84 | ¥16,896 |
| 1250 + | ¥661.84 | ¥16,546 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 268-8296
- メーカー型番:
- SIHG085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| シリーズ | EF | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.084Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 184W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 15.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 34A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
シリーズ EF | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.084Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 184W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 15.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Vishay EFシリーズパワーMOSFET、650 Vドレインソース電圧、34 A連続ドレイン電流 - SIHG085N60EF-GE3
このパワーMOSFETは、産業用および電子システムのスイッチングおよび制御作業用に設計された高電圧Nチャンネルデバイスです。エンハンスメントモードで動作し、堅牢な取り付けと熱処理を必要とするアセンブリに適したスルーホールTO-247パッケージで提供されます。このデバイスは、高いブロッキング電圧と大幅な連続電流能力が必要な用途を対象としています。
特長:
• 最大ドレインソース電圧650 Vにより、高電圧スイッチングを実現
• 34 Aの連続ドレイン電流により、重い負荷の処理をサポート
• 0.084Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 184 Wの消費電力により、より高い電力動作を実現
• 63nC標準ゲート充電により、SMPSでの高速スイッチングを実現
• 最高動作温度150°Cで高温環境に耐える
• 34 Aの連続ドレイン電流により、重い負荷の処理をサポート
• 0.084Ωの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 184 Wの消費電力により、より高い電力動作を実現
• 63nC標準ゲート充電により、SMPSでの高速スイッチングを実現
• 最高動作温度150°Cで高温環境に耐える
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータドライブフロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用
• 高電圧パルスおよびインバータ回路に使用可能
• 産業用モータドライブフロントエンドに最適
• 再生可能エネルギーインバータの電力変換に使用
• 高電圧パルスおよびインバータ回路に使用可能
このデバイスには、どのようなゲートドライブに関する考慮事項が必要ですか?
ゲートドライブは、最大30 Vのゲートソース定格に対応し、過渡オーバーシュートを制限しながら、必要なスイッチング速度を実現するために、標準的な63 nCのゲート電荷を管理する必要があります。
要求の厳しい設備では、熱管理にどのようにアプローチする必要がありますか?
184 Wの消費電力定格により、適切なサイズのヒートシンクとサーマルマウントをTO-247スルーホール形式で使用して、ジャンクション温度をデバイスの限界内に保つことができます。
過酷なデプロイに対する環境動作制限はありますか?
このデバイスは、-55 °Cから最大150 °Cまで動作するように設定されており、産業環境で一般的な広い温度範囲で使用できます。
設計者はどのような電気的ストレス制限を遵守する必要がありますか?
設計者は、最大650 Vのドレインソースを遵守し、この定格を超える電圧スパイクに対する過渡保護を確保する必要があります。
関連ページ
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG085N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-263, SIHB085N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 34 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, SIHP085N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 95 A デプレッション型 3-Pin パッケージTO-247
- Vishay MOSFET 95 A デプレッション型 3-Pin パッケージTO-247, SIHG026N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SiHG080N60E-GE3
- Vishay MOSFET 30 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG100N65E-GE3
