Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 650 V, 34 A, 0.084 Ω, 63 nC, 3ピン, パッケージ:TO-247AC

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RS品番:
268-8296
メーカー型番:
SIHG085N60EF-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

TO-247AC

シリーズ

EF

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.084Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

184W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

15.7mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay EFシリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧650V、最大連続ドレイン電流34A - SIHG085N60EF-GE3


このパワーMOSFETは、電源アセンブリのスルーホール取り付け用に設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。幅広い温度範囲で堅牢な高電圧スイッチングと効率的な伝導が必要な用途向けに設計されており、RoHS環境制限に適合しています。

特長:


• 650Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途に対応
• 34 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷処理をサポート
• 0.084Ω Rds(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 184 Wの消費電力により、大きな熱スループットを実現
• 63nC標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現
• -55°C~150°Cの動作範囲により、過酷な環境での使用が可能

用途


• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モーター駆動反転段階に最適
• ロボット工学におけるディスクリート電源コンバータと併用
• インバータフロントエンドスイッチングステージに使用可能
• 力率補正回路に最適

どのようなパッケージと取付方式を使用していますか?


TO-247ACパッケージで提供され、スルーホール取り付け用に設計されており、確実な基板固定と簡単なヒートシンクを実現します。

どのようなゲートドライブの電圧制限を遵守する必要がありますか?


最大ゲート‐ソース間定格は 30 V であるため、ゲートの損傷を防ぐためには、ゲート駆動回路をこの限界内に保つ必要があります。

熱性能は設置にどのように関連していますか?


このデバイスの184 Wの消費電力定格には、高出力動作中にジャンクション温度を指定された限界以下に維持するために、適切なヒートシンクと熱管理が必要です。

自動車システムに適していますか?


自動車規格に準拠していない

適合性は、提供された定格を超えるシステムの安全性および認定要件によって異なります。

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