Vishay Nチャンネル MOSFET650 V 34 A 表面実装 パッケージTO-263 3 ピン
- RS品番:
- 268-8291
- メーカー型番:
- SIHB085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は50個
￥555.38
(税抜)
￥610.92
(税込)
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥555.38 | ￥27,769.00 |
| 250 - 450 | ￥544.28 | ￥27,214.00 |
| 500 - 1200 | ￥533.40 | ￥26,670.00 |
| 1250 - 2450 | ￥522.72 | ￥26,136.00 |
| 2500 + | ￥512.26 | ￥25,613.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 268-8291
- メーカー型番:
- SIHB085N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
Vishay EFシリーズパワーMOSFETは、高速ボディダイオードと4世代Eシリーズ技術を備えています。スイッチング及び伝導損失が低減され、スイッチモード電源、サーバー電源、力率補正などの用途で使用されます。
低有効静電容量
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
アバランシェ定格エネルギー
メリットの数字が低い
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 34 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | TO-263 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| トランジスタ素材 | シリコン |
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