Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 69.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8, SIS184LDN-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥402,003.00

(税抜)

￥442,203.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫情報に現在アクセスできません - 後ほどご確認ください

個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 3000￥134.001￥402,003
6000 - 27000￥132.654￥397,962
30000 - 42000￥130.004￥390,012
45000 - 57000￥127.393￥382,179
60000 +￥124.849￥374,547

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
268-8341
メーカー型番:
SIS184LDN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

69.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

シリーズ

SIS

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0054Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大許容損失Pd

52W

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Vishay NチャンネルTrenchFET世代5パワーMOSFETは、鉛及びハロゲンフリーデバイスです。同期整流、モータ駆動スイッチ、バッテリ、負荷スイッチなどの用途で使用されます。

メリットの数字が非常に低い

ROHS準拠

UISテスト: 100 %

関連ページ