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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	最大連続ドレイン電流	60 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	600 V
	パッケージタイプ	ハイシエラフォーマット
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	1チップ当たりのエレメント数	1
	トランジスタ素材	GaN

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	最大連続ドレイン電流 60 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 600 V
	パッケージタイプハイシエラフォーマット
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	チャンネルモードエンハンスメント型
	1チップ当たりのエレメント数 1
	トランジスタ素材 GaN

Datasheet - IGT60R070D1ATMA4

Infineonパワートランジスタは、ガリウム窒化物CoolGaNTM 600 V強化モードパワートランジスタです。このパワートランジスタは、高速なオン / オフ速度、最小限のスイッチング損失を実現し、シンプルなハーフブリッジトポロジを最高の効率で実現します。亜鉛酸ガリウムCoolGaNTM 600Vシリーズは、既存の規格をはるかに超える包括的なGaNカスタマイズ認定に基づいて認定されています。データ通信及びサーバーSMPS、通信、アダプタ、充電器、ワイヤレス充電など、最高の効率や電力密度を必要とする多くの用途に対応しています。

EMIを低減
システムコストの削減、節約
逆伝導可能
優れた切り替え頑丈性
高い動作周波数を実現
低ゲート充電及び低出力充電

インフィニオン MOSFET, 60 A, 表面実装, 8 ピン, IGT60R070D1ATMA4

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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