インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 11 A, 表面実装, 3 ピン, SPB11N60C3ATMA1

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梱包形態
RS品番:
752-8473
メーカー型番:
SPB11N60C3ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

11 A

最大ドレイン-ソース間電圧

650 V

パッケージタイプ

D2PAK (TO-263)

シリーズ

CoolMOS C3

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

380 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

3.9V

最低ゲートしきい値電圧

2.1V

最大パワー消費

125 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

45 nC @ 10 V

幅

9.45mm

トランジスタ素材

Si

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

10.31mm

高さ

4.57mm

動作温度 Min

-55 °C

Infineon CoolMOS™C3パワーMOSFET



MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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