Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 57 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージPG-HDSOP-10-1

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RS品番:
273-2788
メーカー型番:
IPDD60R050G7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

57A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

PG-HDSOP-10-1

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

50mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

68nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

278W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは使いやすく、最高の品質基準を備えています。アプリケーション内のPFC及びPWMトポロジで使用することにより、スケールの経済性を向上させることができます。ケルビンソースによる寄生源インダクタンスの削減により、スイッチングが速くなり、リングが少なくなるため、使いやすさが向上します。

鉛フリーの合計

RoHS準拠

視覚的に簡単に検査できるリード

熱性能を向上

ハードスイッチング及びソフトスイッチングに最適

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