Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8, ISC011N03L5SATMA1

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RS品番:
273-2813
メーカー型番:
ISC011N03L5SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

OptiMOSTM

パッケージ型式

PG-TDSON-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

96W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS

自動車規格

なし

Infineon MOSFETは、NチャンネルMOSFETで、高性能バックコンバータ用に最適化されています。このMOSFETはJEDEC規格に準拠しており、IEC61249 2 21に準じてハロゲン未使用です。

RoHS準拠

鉛未使用リードめっき

低いオン抵抗

優れた耐熱性

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