Infineon パワーMOSFET, Nチャンネル, 30 V, 100 A, 1.1 mΩ, 72 nC, 8ピン, パッケージ：PG-TDSON-8
- RS品番:
- 273-2814
- メーカー型番:
- ISC011N03L5SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥320.00 | ￥1,600 |
| 50 - 495 | ￥315.60 | ￥1,578 |
| 500 - 995 | ￥310.00 | ￥1,550 |
| 1000 - 2495 | ￥306.60 | ￥1,533 |
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- RS品番:
- 273-2814
- メーカー型番:
- ISC011N03L5SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PG-TDSON-8 | |
| シリーズ | OptiMOSTM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 72nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 96W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PG-TDSON-8 | ||
シリーズ OptiMOSTM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 72nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 96W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon MOSFETは、NチャンネルMOSFETで、高性能バックコンバータ用に最適化されています。このMOSFETはJEDEC規格に準拠しており、IEC61249 2 21に準じてハロゲン未使用です。
RoHS準拠
鉛未使用リードめっき
低いオン抵抗
優れた耐熱性
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