型番

Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8

RS品番:: 273-2814
メーカー型番:: ISC011N03L5SATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TDSON-8

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500 - 995	￥95.80	￥479
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2500 +	￥93.00	￥465

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RS品番:: 273-2814
メーカー型番:: ISC011N03L5SATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	OptiMOSTM
	パッケージ型式	PG-TDSON-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.1mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	96W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	72nC
	順方向電圧 Vf	1V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 100A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ OptiMOSTM
	パッケージ型式 PG-TDSON-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.1mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 96W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 72nC
	順方向電圧 Vf 1V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - ISC011N03L5SATMA1

Infineon MOSFETは、NチャンネルMOSFETで、高性能バックコンバータ用に最適化されています。このMOSFETはJEDEC規格に準拠しており、IEC61249 2 21に準じてハロゲン未使用です。

RoHS準拠

鉛未使用リードめっき

低いオン抵抗

優れた耐熱性

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