Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin, IPB65R660CFDAATMA1

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RS品番:
273-2999
メーカー型番:
IPB65R660CFDAATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

OptiMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.66Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大許容損失Pd

62.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン 650 V CoolMOS CFDA スーパージャンクションMOSFETは、市場をリードするインフィニオン第2世代の車載用認定済み高電圧CoolMOS パワーMOSFETです。自動で必要とされる高品質と信頼性のよく知られた特性に加えて、

EMIの外観が軽減され、設計が簡単

軽負荷効率の向上

低いスイッチング損失

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