Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 650 V, 57.2 A エンハンスメント型, 表面 パッケージTO-263, IPB65R190CFDAATMA1

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梱包形態
RS品番:
220-7393
メーカー型番:
IPB65R190CFDAATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

57.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS P7

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon 650 V CoolMOS CFDA スーパージャンクション（SJ）MOSFETは、市場をリードするInfineon 第 2 世代の車載用認定済み高電圧CoolMOS パワーMOSFETです。650V CoolMOS CFDA シリーズは、自動車産業が求められる高い品質と信頼性に加え、高速ボディダイオードを内蔵しています。

高速ボディダイオードを内蔵した、市場初の 650V 車載用認定技術

ハードコミュテーション時の電圧オーバーシュートを抑制 - di/dtとdv/dtを自己抑制低いゲート

低いゲート電荷量 Qg

ボディダイオードの繰返し整流時の低Q rrと低Q oss

ターンオンとターンオフの遅延時間の短縮

高ブレークダウン電圧による安全性の向上

EMIの発生を低減し、設計を容易にする

軽負荷効率の向上

低スイッチング損失

より高いスイッチング周波数、高デューティサイクルが可能

高い品質と信頼性

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