Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 31.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 222-4655
- メーカー型番:
- IPB65R110CFDAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 2000 - 9000 | ¥397.813 | ¥397,813 |
| 10000 - 14000 | ¥391.875 | ¥391,875 |
| 15000 - 19000 | ¥385.938 | ¥385,938 |
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- RS品番:
- 222-4655
- メーカー型番:
- IPB65R110CFDAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 31.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | CoolMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 110mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 31.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ CoolMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 110mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineonテクノロジーによってはじめられました。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。
Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineonテクノロジーによってはじめられました。600VのCool MOS™ C7シリーズは、業界をリードする SJ MOSFET サプライヤの経験と高度なイノベーションを融合させた製品です。600 V C7は、RDS(on) Aが1Ω*mm²を下回る史上初の技術です。
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