Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 273-3000
- メーカー型番:
- IPB65R660CFDAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 273-3000
- メーカー型番:
- IPB65R660CFDAATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.66Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 62.5W | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 20nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.66Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 62.5W | ||
動作温度 Min -40°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
インフィニオン 650 V CoolMOS CFDA スーパージャンクションMOSFETは、市場をリードするインフィニオン第2世代の車載用認定済み高電圧CoolMOS パワーMOSFETです。自動で必要とされる高品質と信頼性のよく知られた特性に加えて、
EMIの外観が軽減され、設計が簡単
軽負荷効率の向上
低いスイッチング損失
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