Infineon MOSFET, 7.6 A, 0.8 Ω, 3ピン, パッケージ：PG-SOT223
- RS品番:
- 260-5151
- メーカー型番:
- IPN50R800CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 30000 - 72000 | ￥54.763 | ￥164,289 |
| 75000 - 147000 | ￥53.42 | ￥160,260 |
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- RS品番:
- 260-5151
- メーカー型番:
- IPN50R800CEATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.6A | |
| シリーズ | IPN | |
| パッケージ型式 | PG-SOT223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.8Ω | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.52mm | |
| 長さ | 6.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.3mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.6A | ||
シリーズ IPN | ||
パッケージ型式 PG-SOT223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.8Ω | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.52mm | ||
長さ 6.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.3mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolMOS CEは、スーパージャンクション(SJ)原理に基づいて設計された革新的な高電圧パワーMOSFET技術です。
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