Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 106 A, 3.5 mΩ, 26 nC, 8ピン, パッケージ：PG-TSDSON-8FL

RS品番:: 273-5248
メーカー型番:: BSZ0902NSATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 106 A, 3.5 mΩ, 26 nC, 8ピン, パッケージ：PG-TSDSON-8FL

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RS品番:: 273-5248
メーカー型番:: BSZ0902NSATMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	106A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	OptiMOS
	パッケージ型式	PG-TSDSON-8FL
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3.5mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	26nC
	最大許容損失Pd	48W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 106A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ OptiMOS
	パッケージ型式 PG-TSDSON-8FL
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.5mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC
	最大許容損失Pd 48W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56
	自動車規格なし

Datasheet - BSZ0902NSATMA1

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧30V、最大連続ドレイン電流106A - BSZ0902NSATMA1

このMOSFETは、高電流スイッチングおよび電力変換用途向けに設計されたNチャンネルエンハンスメントモードパワートランジスタです。幅広い動作温度に対応し、堅牢な熱処理と伝導損失の低減を必要とする設計に適しています。このデバイスは、関連する材料および環境規格に適合し、低プロファイルのプリント基板を統合するように構成されています。

特長および利点：

• 3.5mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減し、効率を向上
• 48Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 26nCの標準ゲート充電により、制御されたドライブ要件で高速スイッチングを実現
• 最大ゲート電圧20Vにより、ゲートドライブ設計にマージンを提供
• -55°C～150°Cの定格動作により、幅広い熱環境に対応

用途

• 高電流DC-DCコンバータおよびパワーステージに最適
• 電源回路の同期整流に最適
• 大きな連続電流を必要とするモータードライブステージに使用
• バッテリ管理および配電保護に使用可能
• 熱管理ボードのコンパクトな表面実装アセンブリと併用

低プロファイルの表面実装にはどのようなパッケージが用意されていますか?

表面実装用に設計されたPG-TSDSON-8FLパッケージで提供されます。

このコンポーネントは、短期間の熱ストレスにどのように対応しますか?

このデバイスは、48 Wの最大消費電力を実現し、適切な基板冷却を実施すると、負荷下での耐熱性を制御します。

ゲート端子およびドレイン端子の電気的制限は何ですか?

ゲートは最大20Vまで駆動でき、ドレイン・ソースは最大30Vまで駆動できます。

この部品は自動車用途向けですか?

自動車グレードに分類されていませんが、RoHSおよび指定されたIECおよびDIN環境および材料規格に適合しています。