STMicroelectronics MOSFET 750 V, 15 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージリール
- RS品番:
- 265-1034
- メーカー型番:
- SGT120R65AL
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥340.618 | ￥1,021,854 |
| 6000 - 27000 | ￥337.187 | ￥1,011,561 |
| 30000 - 42000 | ￥330.441 | ￥991,323 |
| 45000 - 57000 | ￥323.828 | ￥971,484 |
| 60000 + | ￥317.354 | ￥952,062 |
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- RS品番:
- 265-1034
- メーカー型番:
- SGT120R65AL
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 15A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| シリーズ | G-HEMT | |
| パッケージ型式 | リール | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 15A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
シリーズ G-HEMT | ||
パッケージ型式 リール | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STマイクロエレクトロニクスのeモードPowerGaNトランジスタは、確立されたパッケージング技術と組み合わされています。その結果、G-HEMTデバイスは、極めて低い伝導損失、大電流能力、高速スイッチング動作を実現し、高電力密度と比類のない効率性能を可能にします。
強化モードのノーマルオフトランジスタ
高速スイッチング
高い電源管理能力
低容量
最適なゲート駆動のためのケルビンソースパッド
逆回復電荷ゼロ
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