STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 92 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージTO-247-4, STW65N023M9-4

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥71,136.00

(税抜)

￥78,249.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 270 は 2026年1月02日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 90￥2,371.20￥71,136
120 +￥2,231.733￥66,952

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
275-1381
メーカー型番:
STW65N023M9-4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

92A

パッケージ型式

TO-247-4

シリーズ

STW

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

23mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

463W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.6V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

230nC

動作温度 Max

150°C

高さ

5mm

規格 / 承認

RoHS

幅

15.8 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、最も革新的なスーパージャンクションMDmesh M9技術に基づいており、エリアあたりのRDS(on)が非常に低い中電圧又は高電圧MOSFETに適しています。シリコンベースのM9テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスの恩恵を受け、デバイス構造を強化します。この製品は、すべてのシリコンベースの高速スイッチングスーパージャンクションパワーMOSFETの中で最も低いオン抵抗と低ゲート充電値を備えているため、優れた電力密度と優れた効率を必要とする用途に特に適しています。

優れたスイッチング性能

ドライブが簡単

100 %バランステスト済み

関連ページ