型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4190BDY-T1-GE3

RS品番:: 279-9895
メーカー型番:: SI4190BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4190BDY-T1-GE3

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋4個入り) 小計：*

￥1,678.00

￥1,845.80

￥3,000円を超える注文については、送料無料

在庫あり

4,980 は 2025年12月29日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
4 - 56	￥419.50	￥1,678
60 - 96	￥366.75	￥1,467
100 - 236	￥315.00	￥1,260
240 - 996	￥261.75	￥1,047
1000 +	￥210.00	￥840

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 279-9895
メーカー型番:: SI4190BDY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	17A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	SI
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.093Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	8.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	95nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 17A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ SI
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.093Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 8.4W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 95nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4190BDY-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

関連ページ