Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 17 A, 0.093 Ω, 95 nC, 8ピン, パッケージ:SO-8
- RS品番:
- 279-9895
- メーカー型番:
- SI4190BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 279-9895
- メーカー型番:
- SI4190BDY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | SI | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.093Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 8.4W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 95nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 17A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ SI | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.093Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 8.4W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 95nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。
TrenchFETパワーMOSFET
完全鉛(鉛)フリーデバイス
非常に低いRDS x Qgのメリット数値
100 % Rg及びUISテスト済み
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