Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC
- RS品番:
- 919-4233
- メーカー型番:
- SI4190ADY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥120.27 | ¥300,675 |
| 5000 - 22500 | ¥118.066 | ¥295,165 |
| 25000 - 35000 | ¥114.635 | ¥286,588 |
| 37500 - 47500 | ¥111.203 | ¥278,008 |
| 50000 + | ¥107.781 | ¥269,453 |
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- RS品番:
- 919-4233
- メーカー型番:
- SI4190ADY-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | Si4190ADY | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 6W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44.4nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ Si4190ADY | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 6W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44.4nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- TW
NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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